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手艺 丨锂电池掩护板缺点 判别

锂电池异常缘故原由 汇总,征求 锂电池容量,锂电池内阻,锂电池电压,尺寸超厚,断路等,电池之都举行 了简朴 汇总并分享给各人。

  1、电池容量低

  发作 缘故原由 :a.附料量偏少;b.极片两面附料量相差较大;c.极片断裂;d.电解液少;e.电解液电导率低;f.正极与负极配片未配好;g.隔膜 孔隙率小;h.胶粘剂老化→附料零落 ;i.卷芯超厚(未烘干或电解液未浸透 )j.分容时未充溢 电;k.正负极质料比容量小。


      2、电池内阻高

  发作 缘故原由 :a.负极片与极耳虚焊;b.正极片与极耳虚焊;c.正极耳与盖帽虚焊;d.负极耳与壳虚焊;e.铆钉与压板接触内阻大;f.正极未加导电剂;g.电解液没有锂盐;h.电池已经 发作 短路;i.隔膜 纸孔隙率小。

  3、电池电压低

  发作 缘故原由 :

  a.副反映(电解液剖析 ;正极有杂质;有水);b.未化成好(SEI膜未构成 喧嚣 );c.客户的线路板泄电 (指客户加工后送回的电芯);d.客户未按要求点焊(客户加工后的电芯);e.毛刺;f.微短路;g.负极发作 枝晶。

  4、超厚

  a.焊缝漏气;b.电解液剖析 ;c.未烘干水分;d.盖帽密封性差;e.壳壁太厚;f.壳太厚;g.卷芯太厚(附料太多;极片未压实;隔膜 太厚)。

  5、电池化成异常

  a.未化成好(SEI膜不完整 、致密);b.烘烤温渡过高→粘合剂老化→脱料;c.负极比容量低;d.正极附料多而负极附料少;e.盖帽漏气,焊缝漏气;f.电解液剖析 ,电导率降低。

  6、电池爆炸

  a.分容柜有缺点 (形成 过充);b.隔膜 紧闭 效应差;c.外部 短路。

  7、电池短路

  a.料尘;b.装壳古装 破;c.尺刮(隔膜 纸太小或未垫好);d.卷绕不齐;e.没包好;f.隔膜 有洞;g.毛刺

  8、电池断路

  a)极耳与铆钉未焊好,或许 有用 焊点面积小;b)毗邻 片断裂(毗邻 片太短或与极片点焊时焊得太靠下)

锂电池掩护板稀有 不良剖析

  一、无闪现、输入 电压低、带不起负载

  此类不良主要 扫除 电芯不良(电芯原本 无电压或电压低),假定 电芯不良则应磨练 掩护板的自耗电,看能否 是掩护板自耗电过大招致 电芯电压低。假定 电芯电压正常,则是因为 掩护板整个回路欠亨 (元器件虚焊、假焊、FUSE不良、PCB板外部 电路欠亨 、过孔欠亨 、MOS、IC损坏等)。详细 剖析

  历程如下:

  (一)、用万用表黑表笔接电芯负极,红表笔依次 接FUSE、R1电阻中间 ,IC的Vdd、Dout、Cout端,P+端(假定电芯电压为3.8V),逐段举行 剖析 ,此几个磨练 点都应为3.8V。若不是,则此段电路有效果 。

  1、FUSE中间 电压有改动:磨练 FUSE能否 导通,若导公例是PCB板外部 电路欠亨 ;若不导公例FUSE有效果 (来料不良、过流损坏(MOS或IC操控失效 )、质料有效果 (在MOS或IC举动 之前FUSE被烧坏),然后用导线短接FUSE,一连 往后剖析 。

  2、R1电阻中间 电压有改动:磨练 R1电阻值,若电阻值正常 ,则或许是虚焊,电阻自身 开裂。若电阻值无正常 ,则或许是IC外部 电阻泛起效果 。

  3、IC磨练 端电压有改动:Vdd端与R1电阻相连。Dout、Cout端正常 ,则是因为 IC虚焊或损坏。

  4、若前面 电压都无改动,磨练 B-到P+间的电压正常 ,则是因为 掩护板正极过孔欠亨 。

  (二)、万用表红表笔接电芯正极,激活MOS管后,黑表笔依次 接MOS管2、3脚,6、7脚,P-端。

  1.MOS管2、3脚,6、7脚电压有改动,则表示 MOS管正常 。

  2.若MOS管电压无改动,P-端电压正常 ,则是因为 掩护板负极过孔欠亨 。

  二、短路无掩护

  1、VM端电阻泛起效果 :可用万用表一表笔接IC2脚,一表笔接与VM端电阻相连的MOS管管脚,招供其电阻值巨细。看电阻与IC、MOS管脚有无 虚焊。

  2、IC、MOS正常 :因为 过放掩护与过流、短路掩护共用一个MOS管,若短路正常 是因为 MOS泛起效果 ,则此板应无过放掩护功用。

  3、以上为正常情形 下的不良,也或许泛起IC与MOS装备 不良惹起 的短路正常 。如前期 泛起的BK-901,其型号为‘312D’的IC内延迟时间 过长,招致 在IC作出照应 举动 操控之前MOS或其它元器件已被损坏。注:其间招供IC或MOS能否 发作正常 最浅易、直接的要领即是对有嫌疑 的元器件举行 交流 。

  三、短路掩护无自恢复

  1、妄想 时所用IC原本 没有自恢复功用,如G2J,G2Z等。

  2、仪器设置短路恢复时间 过短,或短路磨练 时未将负载移开,如用万用表电压档举行 短路表笔短接后未将表笔从磨练 端移开(万用表相当于一个几兆的负载)。

  3、P+、P-间泄电 ,如焊盘之间存在带杂质的松香,带杂质的黄胶或P+、P-间电容被击穿,ICVdd到Vss间被击穿。(阻值只要 几K到几百K)。

  4、假定 以上都没效果 ,或许IC被击穿,可磨练 IC各管脚之间阻值。

  四、内阻大

  1、因为 MOS内阻相对 竞赛 动摇 ,泛起内阻大情形 ,主要 嫌疑 的应当 是FUSE或PTC这些内阻相对 竞赛 简朴 发作改动的元器件。

  2、假定 FUSE或PTC阻值正常,则视掩护板结构 检测P+、P-焊盘与元器件面之间的过孔阻值,或许过孔泛起微断征象 ,阻值较大。

  3、假定 以上多没有效果 ,就要嫌疑 MOS能否 泛起正常 :主要 招供焊接有无 效果 ;其次看板的厚度(能否 简朴 弯折),因为 弯折时或许招致 管脚焊接处正常 ;再将MOS管放到显微镜下视察能否 破碎 ;终究用万用表磨练 MOS管脚阻值,看能否 被击穿。

  五、ID正常

  1、ID电阻自身 因为 虚焊、开裂或因电阻质料不过 关而泛起正常 :可重新焊接电阻中间 ,若重焊后ID正常则是电阻虚焊,若开裂则电阻会在重焊后从中裂开。

  2、ID过孔不导通:可用万用表磨练 过孔中间 。

  3、外部 线路泛起效果 :可刮开阻焊漆看外部 电路有无 断开、短路征象 。


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